快讯摘要

中信建投：封装测试、前道和后道先进封装的设备和材料将是HBM主要受益方向证券时报e公司讯，中信建投研报表示，HBM是限制当前算力卡性能的关键因素，海力士、三星、美光正加大研发投入和资本开...

快讯摘要

中信建投：封装测试、前道和后道先进封装的设备和材料将是HBM主要受益方向证券时报e公司讯，中信建投研报表示，HBM是限制当前算力卡性能的关键因素，海力士、三星、美光正加大研发投入和资本开...

快讯正文

中信建投：封装测试、前道和后道先进封装的设备和材料将是HBM主要受益方向证券时报e公司讯，中信建投研报表示，HBM是限制当前算力卡性能的关键因素，海力士、三星、美光正加大研发投入和资本开支，大力扩产并快速迭代HBM，预计2024年HBM3e内存性能进一步提高。HBM供需将持续紧俏，市场规模高速增长。通过分析生产工艺（TSV、键合等）和技术演进方向（先进制程、叠层），中信建投认为封装测试、前道和后道先进封装的设备和材料将是HBM主要受益方向。

全文详见：http://www.cdtylg.com/post/1464.html

TOP